“CXMT, HBM3E 소량 생산…이르면 내년 자국 제품 탑재”

디인포메이션 “내년 생산 확대”메모리 3사와 제품 한 세대 차이

[뉴스토마토 이명신 기자] 중국 최대 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 5세대 고대역폭메모리(HBM3E)를 소량 생산하기 시작한 것으로 알려졌습니다. 삼성전자(005930), SK하이닉스(000660), 마이크론이 6세대 제품(HBM4)을 양산 중인 만큼, 제품 세대 기준으로는 불과 한 세대까지 격차를 좁혔다는 평가입니다.

 

중국 동부 안후이성 허페이시에 위치한 창신메모리(CXMT) 본사 앞을 사람들이 지나가고 있다. (사진=연합뉴스)

 

지난달 31일(현지시각) 미국 정보기술(IT) 전문매체 디인포메이션은 두 명의 소식통을 인용해 CXMT가 HBM3E를 소량 생산하고 있으며, 내년에는 생산량을 확대할 계획이라고 보도했습니다. 알리바바의 반도체 설계(팹리스) 자회사 T헤드와 중국 AI 반도체 업체 캠브리콘 등이 자체 프로세서에 CXMT의 HBM3E를 적용하기 위해 테스트를 진행 중인 것으로 전해졌습니다. 계획대로라면 이르면 내년부터 CXMT의 HBM3E를 탑재한 중국산 AI 반도체가 출시될 것이라는 설명입니다.

 

중국 팹리스의 주문은 CXMT가 HBM 양산 제조 경험을 쌓고 실제 고객사의 피드백을 확보하는 데도 도움이 될 것으로 예상됩니다. 디인포메이션은 AI 산업 고도화로 HBM 수요가 빠르게 늘어난 상황에서 중국 업체가 첨단 HBM 생산에 진입했다는 소식은 중국 반도체 산업의 중요한 진전이라고 평가했습니다.

 

미국의 대중국 반도체 규제가 거세지는 가운데, 중국은 자체 공급망 구축에 속도를 내는 모습입니다. 지난 2022년 당시 바이든 정부는 첨단 AI 칩과 자국 기술이 들어간 장비의 대중 수출을 규제하면서 중국을 겨냥한 직접 제재에 나선 바 있습니다. 이어 2024년부터는 중국에 대한 첨단 HBM의 수출을 제한했습니다.

 

다만 CXMT는 아직 HBM의 수율과 신뢰성, 성능 측면에서 선두 기업들에 뒤처진 것으로 알려졌습니다. 디인포메이션은 CXMT의 HBM 기술이 글로벌 선두 업체보다 3~5년 뒤처져 있다고 보도했습니다. 제품 세대로 보면 한 단계 차이로 격차가 줄었지만, 실제 기술 격차까지 같은 수준으로 줄었다고 보긴 어려운 겁니다.

 

삼성전자, SK하이이닉스, 마이크론 등 글로벌 메모리 3사는 현재 HBM4 양산에 돌입했으며, 내년 출시를 목표로 7세대(HBM4E) 샘플 공급도 시작한 상태입니다.

 

T헤드와 캠브리콘 역시 CXMT HBM3E가 메모리 3사 제품 대비 속도와 신뢰성이 낮지만, 자체 AI 프로세서와 안정적으로 작동하도록 최적화하는 방법을 연구하고 있는 것으로 전해졌습니다.

 

지난달 CXMT는 상하이 증시 상장을 통해 86억달러(약 11조8000억원)를 조달했습니다. 이에 허페이와 베이징, 상하이에 생산시설 투자에 나서는 등 공격적인 설비 확장에 나서고 있습니다.

 

최근에는 차세대 모바일용 저전력 D램인 LPDDR6 양산에 돌입했습니다. 해당 제품은 이달 출시 예정인 샤오미의 ‘18 폴드’에 탑재될 예정입니다. 여기에 HBM3E 시험 생산까지 돌입하면서 중국 반도체가 첨단 제품까지 영역을 빠르게 확장하고 있다는 평가가 나옵니다.

 

이명신 기자 [e-mail]

이 기사는 뉴스토마토 보도준칙 및 윤리강령에 따라 오승훈 산업1부장이 최종 확인·수정했습니다.