[뉴스토마토 김하늬 기자] 정부가 실리콘카바이드(SiC), GaN(질화갈륨), Ga2O3(갈륨옥사이드) 등 3대 핵심소재 기반의 차세대 전력반도체 기술개발에 고삐를 죈다. 특히 2025년까지 핵심제품 5개 이상을 상용화하는 등 국내 자립기반 구축을 위해 올해 100억원을 지원한다. 해당 반도체에 사용하는 SiC 웨이퍼 시장의 경우는 2027년까지 현재의 3배 이상 성장세가 전망되는 분야다.
1일 산업통상자원부는 이같은 내용을 골자로 한 '차세대 전력반도체 기술개발 및 생산역량 확충방안'을 발표했다.
국내 차세대 전력 반도체 산업 생태계 구축을 위한 정책방향은 상용화 제품 개발, 기반기술 강화, 미래 제조공정 확보가 골자다. 2025년까지 수요연계 연구개발(R&D)을 통해 차세대 전력 반도체 상용화 제품을 5개 이상 개발하고, 양산 가능한 6~8인치 파운드리 인프라를 국내에 구축할 수 있도록 한다는 것이다.
차세대 전력 반도체는 SiC 대비 전력 효율과 내구성이 뛰어난 3대 신소재 웨이퍼로 제작된 전력 반도체로서, 전자기기의 수요 확대 및 전력 소비 증가에 따라 미래 성장 가능성이 높은 반도체다. 인공지능(AI), 5세대 이동통신(5G) 등의 디지털 뉴딜과 전력 효율 및 고온·고압 내구성이 필요한 전기차, 신재생에너지 등의 그린 뉴딜의 핵심 부품으로 사용된다. 하지만 한국은 생산규모·기술력 부족 등으로 90% 이상 수입에 의존해온 실정이다.
정부는 먼저 반도체, 충전기 등 상용화과제 기획·발굴을 위한 수요-공급기업간 연대협력협의회를 이달중 열고, 2022년까지 파워반도체 상용화센터의 시제품 지원 물량을 2배 확대하기 위해 인프라 증설을 추진키로 했다.
또 SiC, GaN, Ga2O3 등 3대 핵심소재기반 차세대 전력반도체 기술개발을 올해 100억원 지원하고, 팹리스·파운드리 등 민간과의 협력을 통해 기술개발부터 웨이퍼 제조까지 국내 전주기 밸류체인 조성에 주력한다는 방침이다.
제조역량 확충을 위해서는 민간 파운드리의 차세대 전력반도체 제조공정 구축을 지원하고, 내년까지 부산 파워반도체 상용화센터 내에 신뢰성 평가인증센터를 구축한다.
성윤모 산업부 장관은 "AI·5G 등 신기술의 구현과 및 자율차, 신재생 등 미래 성장 분야의 활성화를 위해서는 전력의 효율적인 관리가 필수이며 차세대 전력 반도체는 이를 위한 핵심 부품"이라면서 "정부는 아직 초기인 차세대 전력 반도체 시장을 선점하고 미래 경쟁력을 확보할 수 있도록 R&D, 인프라 등을 적극적으로 지원하겠다"고 말했다.
세종=김하늬 기자 hani4879@etomato.com
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