삼성전자, 반도체 신소재 '비정질 질화붕소' 발견…미세화 박차
반도체 집적도 향상할 수 있는 신소재
입력 : 2020-07-06 15:10:50 수정 : 2020-07-06 15:40:05
[뉴스토마토 김광연 기자] 삼성전자가 반도체 신소재 발견에 성공하며 반도체 집적도(1개의 반도체 칩에 구성된 소자의 수)를 높일 수 있는 '꿈의 반도체' 개발에 한 걸음 더 다가섰다.
 
6일 삼성전자 뉴스룸에 따르면 삼성전자 종합기술원은 울산과학기술원(UNIST)과 공동으로 신소재인 '비정질 질화붕소(a-BN) 발견에 성공했다고 밝혔다. 영국 맨체스터 대학교 연구팀이 '꿈의 신소재'로 불리던 그래핀을 발견한 이후 16년 만의 의미 있는 신소재 발견이다.
 
그간 기존 실리콘 기반 반도체 기술의 난제 중 하나는 '집적도 향상'이었다. 집적도를 높일수록 더 많은 정보를 빠르게 처리할 수 있지만, 회로 간 전기적 간섭 등 기술적 문제가 증가하게 된다. 2차원 소재(2D)는 이러한 반도체 업계의 고민을 해결할 수 있는 열쇠로 주목받아 왔다.
 
2D 소재는 물질의 가장 작은 단위인 원자 수준에서도 도체, 부도체 혹은 반도체의 강력한 특성을 가지며, A4용지(약 0.1mm) 약 10만분의 1의 두께로 매우 얇아 잘 휘어지면서도 단단하다.
 
이 중 가장 대표적인 것이 '그래핀'이었다. 삼성전자 종합기술원은 수년간 그래핀을 대면적으로 만들어, 반도체 공정에 적용하기 위한 원천 기술을 연구개발해 왔다. 이러한 원천 기술을 바탕으로 최근에는 반도체 회로를 따라 난 전기길인 배선에 그래핀을 적용하는 데 집중하고 있다. 반도체의 집적도가 증가할수록 회로 간 선폭이 좁아지면서 저항이 커지는데, 그래핀의 촘촘한 육각구조 형태가 저항을 줄이는 가장 얇으면서도 단단한 장벽 역할을 하기 때문이다.
 
사진/삼성전자 뉴스룸
 
그래핀 개발 프로젝트 리더인 삼성전자 종합기술원 신현진 전문연구원은 "그래핀을 반도체 공정에 적용하기 위해서는 저온(400°C) 환경에서 대면적으로 웨이퍼 위에 바로 성장시킬 수 있는 기술 개발이 필요하다"며 "종합기술원은 그래핀 양산 적용을 위한 연구개발뿐 아니라 응용 분야 확장에도 힘을 쏟고 있다"고 설명했다.
 
이번에 발견한 비정질 질화붕소는 화이트 그래핀의 파생 소재로 질소와 붕소 원자로 이루어져 있으나 정형화돼 있지 않은 분자구조를 가져 화이트 그래핀과 구분된다. 이외에도 반도체를 소형화하기 위한 핵심 요소 중 하나인 유전체로 활용돼 전기적 간섭을 차단하는 역할을 할 수 있다. 즉, 반도체 집적화가 가속되며 생기는 전기적 간섭이라는 난제를 돌파할 수 있는 열쇠인 셈이다.
 
연구팀은 세계 최저 수준의 유전율 1.78을 확보하였을 뿐만 아니라 저온(400°C) 환경에서도 소재가 반도체 기판 위에서 큰 면적으로 성장이 가능한 것을 입증해 공정 혁신에 한 걸음 다가섰다. 비정질 질화붕소는 메모리 반도체를 비롯해 시스템 반도체 전반에 걸쳐 적용 가능하며 특히 고성능이 요구되는 서버용 메모리 반도체에 활용이 기대된다.
 
삼성전자 종합기술원은 앞으로도 국내외 대학과의 기술협력 등 차세대 소재 개발을 위한 노력을 계속 이어나갈 계획이다. 삼성전자 종합기술원에서 2D 소재 연구개발을 이끌고 있는 박성준 상무는 "최근 2D 소재와 여기서 파생된 신소재 개발이 가속화되고 있지만 공정에 바로 적용하기 위해서는 학계와 기업의 추가적인 연구와 개발이 필요하다"며 "신소재 연구개발뿐만 아니라 공정 적용성을 높여 반도체 패러다임 전환을 주도할 수 있도록 지속 노력하겠다"고 밝혔다.
 
앞서 삼성미래기술육성사업이 지원한 이준희 울산과학기술원(UNIST) 에너지·화학공학부 교수 연구팀이 차세대 메모리 반도체의 집적도를 1000배 이상 향상 시킬 수 있는 이론과 소재를 지난 2일(현지시간) 세계적인 학술지 '사이언스(Science)'에 게재했다. 이 교수 연구팀은 '산화하프늄(HfO₂)'이라는 반도체 소재의 산소 원자에 전압을 가하면 원자간 탄성이 사라지는 물리 현상을 새롭게 발견하고 반도체에 적용해 저장 용량 한계를 돌파하는 데 성공했다.
 
김광연 기자 fun3503@etomato.com
 

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