삼성전자, 세계 최초 '2세대 10나노 D램' 본격 양산

초격차 D램 기술로 생산성 30% 향상

[뉴스토마토 박진아 기자] 삼성전자가 세계 최초로 역대 최고 수준의 2세대(1y나노) 10나노급(1나노:10억분의 1미터) D램을 양산한다고 20일 밝혔다.

 

삼성전자의 1y나노 공정기반 8Gb DDR4 D램 제품. 사진/삼성전자

 

삼성전자는 지난달부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급 8Gb(기가비트) DDR4 D램을 양산하고 있다. 지난해 2월 1세대(1x나노) 8Gb D램을 양산하며 본격적인 10나노급 D램 시대를 맞이한 데 이어 21개월 만에 또다시 반도체 미세공정 한계를 극복했다.

 

2세대 10나노급 D램은 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 D램보다 생산성을 약 30% 높여 프리미엄 D램 수요 증가에 대응할 수 있는 경쟁력을 구축했다. 삼성전자는 이번 2세대 10나노급 D램 양산을 통해 일부 응용처 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 돌입할 계획이다.

 

특히 2세대 10나노급 D램 제품에는 초고속·초절전·초소형 회로 설계, 초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계, 2세대 에어 갭(Air Gap) 공정 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다. 이에 따라 기존 1세대 10나노급 D램 대비 속도는 10% 이상 향상됐고, 소비 전력량은 15% 이상 절감됐다. 또 초정밀 전압차이 감지 시스템 개발로 셀 데이터 읽기 특성도 2배 이상 향상시켰다. 이와 함께 불필요한 전하량을 최소화해 초고감도 셀 개발도 가능하며, 셀 배열의 집적도를 향상시켜 칩 사이즈도 대폭 줄일 수 있다.

 

삼성전자는 이러한 공정 기술을 바탕으로 서버용 DDR5, 모바일용 LPDDR5, 슈퍼컴퓨터용 HBM3 및 초고속 그래픽용 GDDR6 등 차세대 프리미엄 D램 양산 기반을 업계 최초로 확보했다. 진교영 삼성전자 메모리사업부 사장은 "향후 1y나노 D램의 생산확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 것"이라고 말했다.

 

한편 삼성전자는 1y나노 D램 모듈의 CPU업체 실장 평가를 완료하고, 글로벌 주요 고객과 차세대 시스템 개발관련 기술 협력을 추진하고 있다. 이와 함꼐 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 D램 라인업으로 서버, 모바일 및 그래픽 시장 등 프리미엄 메모리 시장을 지속 선점해 나갈 계획이다.

 

박진아 기자 [e-mail]